فرایند تنظیم باندگپ در نیمه هادی تک لایه تسهیل شد

به گزارش گروه فناوری خبرگزاری دانشجو، برای تنظیم باندگپ، دانشمندان معمولا از مهندسی آلیاژ ها استفاده می کنند، فرآیندی که در آن دو یا چند ماده با هم ترکیب شده تا بتوان به خواص موردنظر رسید.

- محققان روشی با کارایی بالا برای تنظیم باندگپ در یک ساختار نیمه هادی تک لایه ارائه کردند که موجب تسهیل فرآیند تنظیم آن می شود.

به گزارش گروه فناوری خبرگزاری دانشجو، برای تنظیم باندگپ، دانشمندان معمولا از مهندسی آلیاژ ها استفاده می کنند، فرآیندی که در آن دو یا چند ماده با هم ترکیب شده تا بتوان به خواص موردنظر رسید.

تنظیم باندگپ یک عامل مهم در کنترل هدایت الکتریکی و ویژگی های نوری نیمه هادی ها است.

اما مهندسی باند گپ نیمه هادی های رایج از طریق فرآیند آلیاژسازی معمولا از روی حدس انجام می شود چرا که دانشمندان روشی در اختیار ندارند به صورت مستقیم ببینند که آیا اتم های آلیاژ با الگو های خاصی مرتب شده اند یا به صورت تصادفی جاگیری کرده اند.

به تازگی مقاله ای در نشریه Physical Review Letters به چاپ رسیده است که در آن یک تیم تحقیقاتی به سرپرستی زتل ماروین کوهن، دانشمند ارشد دانشکده علوم مواد در آزمایشگاه ملی لارنس برکلی، و اساتید فیزیک در دانشگاه کالیفرنیا، نشان دادند که می توان باندگپ مورد نیاز برای بهبود عملکرد نیمه هادی ها را مهندسی کرد.