توسعه نانوحسگری برای اندازه گیری شدت و جهت میدان مغناطیسی

محققان مرکز علوم فیزیک و فناوری لیتوانی و دانشگاه فناوری کاوناس موفق به توسعه یک حسگر مغناطیسی ترکیبی نوین شده اند که با بهره گیری از خواص منحصربه فرد منگانیت و گرافن، - محققان مرکز علوم فیزیک و فناوری لیتوانی و دانشگاه فناوری کاوناس موفق به توسعه یک حسگر مغناطیسی ترکیبی نوین شده اند که با بهره گیری از خواص منحصربه فرد منگانیت و گرافن، می تواند شدت و جهت میدان مغناطیسی را به طور هم زمان اندازه گیری کند.

به گزارش ایسنا، این حسگر شامل یک لایه نانوساختار از منگانیت برای تشخیص شدت میدان مغناطیسی و یک لایه گرافنی برای تعیین زاویه میان میدان مغناطیسی و سطح حسگر است.

این رویکرد دوگانه باعث افزایش حساسیت در محدوده وسیعی از شدت میدان های مغناطیسی شده و امکان اندازه گیری دقیق اطلاعات جهت یابی و موقعیت یابی اشیاء را فراهم می کند.

این طراحی که مبتنی بر پیکربندی تقسیم ولتاژ است، به گونه ای بهینه سازی شده که حداکثر حساسیت را ارائه دهد.

آزمایش های انجام شده در میدان های مغناطیسی پالسی تا 21 تسلا نشان داده است که ترکیب منگانیت و گرافن، حساسیت حسگر را به شدت افزایش می دهد.

علاوه بر این، محققان یک سیستم پردازش داده برای ثبت و پردازش اطلاعات در زمان واقعی توسعه داده اند که امکان اندازه گیری هم زمان شدت و جهت میدان مغناطیسی را فراهم می ک�