ابداع ترانزیستورهای 3 بعدی که برتر از فناوری سیلیکون هستند

دانشمندان موسسه فناوری ماساچوست(MIT) از ترانزیستورهای سه بعدی بسیار کارآمد رونمایی کردند که می توانند از فناوری سیلیکونی پیشی بگیرند.

- دانشمندان موسسه فناوری ماساچوست(MIT) از ترانزیستورهای سه بعدی بسیار کارآمد رونمایی کردند که می توانند از فناوری سیلیکونی پیشی بگیرند.

این ترانزیستورهای سه بعدی جدید با استفاده از مواد نیمه رسانای فوق نازک طراحی شده اند.

به گزارش ایسنا، پژوهشگران موسسه فناوری ماساچوست(MIT) نوع جدیدی از ترانزیستورهای سه بعدی را توسعه داده اند که می تواند نسبت به ترانزیستورهای مبتنی بر سیلیکون فعلی از نظر انرژی کارآمدتر و قدرتمندتر باشد.

این ترانزیستورهای سه بعدی جدید با استفاده از مواد نیمه رسانای فوق نازک طراحی شده اند.

یانجیه شائو(Yanjie Shao) فوق دکترای MIT و سرپرست این مطالعه می گوید: این یک فناوری با پتانسیل جایگزینی سیلیکون است، بنابراین می توانید از آن با تمام عملکردهایی که در حال حاضر سیلیکون دارد، اما با بهره وری انرژی بسیار بهتر استفاده کنید.

ترانزیستورها مکانیک کوانتومی را برای دستیابی به عملکرد بالا در ولتاژ پایین در یک ناحیه نانومقیاس مهار می کنند.

اندازه کوچک آنها راه را برای عصر جدیدی از الکترونیک فوق متراکم، با کارایی بالا و کم مصرف هموار می کند.